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| Artikel-Nr.:
108EL-1827143 Herst.-Nr.:
DGTD120T25S1PT EAN/GTIN:
5059045296263 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A, 100 A (Impuls)
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.26 x 5.31 x 21.46mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Das Modell DGTD120T25S1PT basiert auf der Feldstopp-Trench-IGBT-Technologie und bietet daher niedrige VCE(sat), ausgezeichnete Qualität und hohe Schaltleistung.Hohe Schaltgeschwindigkeit & niedriger VCE(sat)-Verlust VCE(sat) = 2,0 V @ IC = 25 A Hohe Eingangsimpedanz trr = 100 ns (typ.) @ diF/dt = 500 A/μs Extrem weiche, antiparallel geschaltete Diode mit kurzer Erholzeit Extrem niedrige VF-Verteilungssteuerung Positiver Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung Maximale Verbindungstemperatur 175 °C Bleifreie Oberfläche halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät Anwendungen Motorantrieb UPS Schweißgerät Solarwechselrichter Induktionskocher Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A, 100 A (Impuls) | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.26 x 5.31 x 21.46mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1827143, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DGTD120T25S1PT, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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