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| Artikel-Nr.:
108EL-1688939 Herst.-Nr.:
STGP10M65DF2 EAN/GTIN:
5059042341997 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 115 W
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.4 x 4.6 x 15.75mm
Nennleistung = 0.66mJ
IGBT, diskret, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 20 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 115 W | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | Nennleistung: | 0.66mJ |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-220, 1688939, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGP10M65DF2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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