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Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC


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Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Artikel-Nr.:
     108EL-1687933
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF7389TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043377766
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A; 7,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 46 mΩ, 98 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4mm
Höhe = 1.5mm

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N/P-Kanal-Konfiguration wählen.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N, P
Dauer-Drainstrom max.:
5,3 A; 7,3 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOIC
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
46 mΩ, 98 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
2,5 W
Transistor-Konfiguration:
Isoliert
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
4mm
Höhe:
1.5mm
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 1687933, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7389TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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