|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-1685958 Herst.-Nr.:
IRF6648TRPBF EAN/GTIN:
5059043385990 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 86 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DirectFET ISOMETRISCH
Montage-Typ = SMD
Drain-Source-Widerstand max. = 7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 89 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = DirectFET, HEXFET
Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon. Das DirectFET® -Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen. Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten. Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit. Flache Bauweise, nur 0,7 mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 86 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DirectFET ISOMETRISCH | Montage-Typ: | SMD | Drain-Source-Widerstand max.: | 7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 89 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | DirectFET, HEXFET |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 1685958, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF6648TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |