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| Artikel-Nr.: 108EL-1684584 Herst.-Nr.: IXTN200N10L2 EAN/GTIN: 5059041361064 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 178 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Schraubmontage Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 830 W Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 25.07mm Serie = Linear L2
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 178 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 830 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 25.07mm | Serie: | Linear L2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1684584, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXTN200N10L2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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