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| Artikel-Nr.:
108EL-1656701 Herst.-Nr.:
IPP320N20N3GXKSA1 EAN/GTIN:
5059043465449 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 34 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 32 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 136 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.57mm
Höhe = 15.95mm
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 34 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Serie: | OptiMOS™ 3 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 32 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 136 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.57mm | Höhe: | 15.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 1656701, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP320N20N3GXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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