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Infineon HEXFET IRF7316TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC


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Infineon HEXFET IRF7316TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC
Artikel-Nr.:
     108EL-1655939
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF7316TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043334776
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 4,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 98 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
4,9 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOIC
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
98 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
2 W
Transistor-Konfiguration:
Isoliert
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 1655939, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7316TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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