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| Artikel-Nr.:
108EL-1532878 Herst.-Nr.:
PSMN3R5-30YL,115 EAN/GTIN:
5059043087177 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.45V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.65V
Verlustleistung max. = 74 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 4.1mm
Höhe = 1.05mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | LFPAK, SOT-669 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.45V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.65V | Verlustleistung max.: | 74 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 4.1mm | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1532878, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PSMN3R530YL,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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