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| Artikel-Nr.: 108EL-1459170 Herst.-Nr.: IPA60R190E6XKSA1 EAN/GTIN: 5059043778884 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 440 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 34 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Länge = 10.65mm Serie = CoolMOS E6
Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6. MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS ;sup>™ ;/sup> E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 440 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 34 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 10.65mm | Serie: | CoolMOS E6 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungsfaktorkorrektur, mosfet 20a, 1459170, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA60R190E6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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