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Infineon HEXFET IRF7342TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A 2 W, 8-Pin SOIC


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Infineon HEXFET IRF7342TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A 2 W, 8-Pin SOIC
Artikel-Nr.:
     108EL-1248750
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF7342TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043041599
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 170 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 5mm
Höhe = 1.5mm

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-P-Kanal-Konfiguration wählen.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
3,4 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
SOIC
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
170 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
2 W
Transistor-Konfiguration:
Isoliert
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Länge:
5mm
Höhe:
1.5mm
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 1248750, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7342TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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