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| Artikel-Nr.:
102-164337-BP Herst.-Nr.:
IRFZ2807ZPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Infineon Technologies IRFZ2807ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 75 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 3270 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 75 A · Leistung (max) P(TOT): 170 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 110 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 9.4 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 53 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 75 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Infineon Technologies | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | Infineon Technologies | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-220AB | Ausführung (Transistoren): | N-Kanal | Serie (Halbleiter): | HEXFET® | Transistor-Merkmal: | Standard | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | INF | Typ (Hersteller-Typ): | IRFZ2807ZPBF | Montageart: | Durchführungsloch | C(ISS): | 3270 pF | C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V | I(d): | 75 A | Betriebstemperatur (max.): | +175 °C | Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C | Leistung (max) P(TOT): | 170 W | Q(G): | 110 nC | Q(G) Referenz-Spannung: | 10 V | R(DS)(on): | 9.4 mΩ | R(DS)(on) Referenz-Strom: | 53 A | R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V | U(GS)(th) Referenz-Strom max.: | 250 µA | U(DSS): | 75 V | U(GS)(th) max.: | 4 V | Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 75 V | Produkt-Art: | MOSFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Infineon Technologies, IRFZ2807ZPBF, 831-2796, International Rectifier |
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