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Infineon Technologies IRFZ14PBF MOSFET 1 HEXFET 43 W TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-162737-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFZ14PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet
Infineon Technologies IRFZ14PBF MOSFET 1 HEXFET 43 W TO-220

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): HEXFET · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 300 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 10 A · Leistung (max) P(TOT): 43 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 11 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 200 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 6 A · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220
Ausführung (Transistoren):
HEXFET
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRFZ14PBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
300 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
10 A
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
43 W
Q(G):
11 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
200 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
60 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
60 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Infineon Technologies, IRFZ14PBF, 541-1685, International Rectifier
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