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Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-162406-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF5210PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220

Power MOSFET, P-Kanal

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 2700 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 40 A · Leistung (max) P(TOT): 200 W · Montageart: Durchführungsloch · Produkt-Art: MOSFET · Q(G): 180 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 60 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 24 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · Typ (Hersteller-Typ): IRF5210PBF · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220
Ausführung (Transistoren):
P-Kanal
Serie (Halbleiter):
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRF5210PBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
2700 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
40 A
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
200 W
Q(G):
180 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
60 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
24 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
100 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
100 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 100v, Infineon Technologies, IRF5210PBF, 541-1720, International Rectifier
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