Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.: 102-162406-BP Herst.-Nr.: IRF5210PBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220
Power MOSFET, P-Kanal
Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 2700 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 40 A · Leistung (max) P(TOT): 200 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 180 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 60 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 24 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Infineon Technologies | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | Infineon Technologies | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-220 | Ausführung (Transistoren): | P-Kanal | Serie (Halbleiter): | HEXFET® | Transistor-Merkmal: | Standard | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | INF | Typ (Hersteller-Typ): | IRF5210PBF | Montageart: | Durchführungsloch | C(ISS): | 2700 pF | C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V | I(d): | 40 A | Betriebstemperatur (max.): | +175 °C | Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C | Leistung (max) P(TOT): | 200 W | Q(G): | 180 nC | Q(G) Referenz-Spannung: | 10 V | R(DS)(on): | 60 mΩ | R(DS)(on) Referenz-Strom: | 24 A | R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V | U(GS)(th) Referenz-Strom max.: | 250 µA | U(DSS): | 100 V | U(GS)(th) max.: | 4 V | Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 100 V | Produkt-Art: | MOSFET |
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| Weitere Suchbegriffe: 02050000040986, Infineon Technologies, IRF5210PBF, 541-1720 |
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