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| Artikel-Nr.:
102-153060-BP Herst.-Nr.:
BSS84P EAN/GTIN:
k.A. |
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| Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3
Kleinsignal-Transistor
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 19 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 170 mA · Leistung (max) P(TOT): 360 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 1.5 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 8 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 170 mA · Serie (Halbleiter): SIPMOS® · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 20 µA · U(GS)(th) max.: 2 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Infineon Technologies | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | Infineon Technologies | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-236-3 | Ausführung (Transistoren): | P-Kanal | Serie (Halbleiter): | SIPMOS® | Transistor-Merkmal: | Logic Level Gate | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | INF | Typ (Hersteller-Typ): | BSS84P | Montageart: | Oberflächenmontage | C(ISS): | 19 pF | C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V | I(d): | 170 mA | Betriebstemperatur (max.): | +150 °C | Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C | Leistung (max) P(TOT): | 360 mW | Q(G): | 1.5 nC | Q(G) Referenz-Spannung: | 10 V | R(DS)(on): | 8 Ω | R(DS)(on) Referenz-Strom: | 170 mA | R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V | U(GS)(th) Referenz-Strom max.: | 20 µA | U(DSS): | 60 V | U(GS)(th) max.: | 2 V | Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 60 V | Produkt-Art: | MOSFET |
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