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Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-Kanal 500 mW TO-236-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-152902-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSS123NH
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-Kanal 500 mW TO-236-3

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 20.9 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 190 mA · Leistung (max) P(TOT): 500 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 0.9 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 6 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 190 mA · Serie (Halbleiter): OptiMOSü™ · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 13 µA · U(GS)(th) max.: 1.8 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-236-3
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Serie (Halbleiter):
OptiMOSü™
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
BSS123NH
Montageart:
Oberflächenmontage
C(ISS):
20.9 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
190 mA
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
500 mW
Q(G):
0.9 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
6 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
190 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
13 µA
U(DSS):
100 V
U(GS)(th) max.:
1.8 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
100 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Infineon Technologies, BSS123NH, FET, Feldeffekt-transistor
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