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| Artikel-Nr.:
102-151169-BP Herst.-Nr.:
MJ15004G EAN/GTIN:
k.A. |
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| ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15004G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -20 A · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): -250 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -140 V · Leistung (max) P(TOT): 250 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 2 MHz · VCE Sättigung (max.): -1 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | ON Semiconductor | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | ON Semiconductor | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-3 | Ausführung (Transistoren): | PNP | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | OnS | Typ (Hersteller-Typ): | MJ15004G | Montageart: | Durchführungsloch | Kollektor Reststrom I(CES): | -250 µA | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | -140 V | Collector-Strom I(C): | -20 A | DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | -5 A | DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: | -2 V | DC Stromverstärkung (hFE): | 25 | Leistung (max) P(TOT): | 250 W | Transitfrequenz f(T): | 2 MHz | VCE Sättigung (max.): | -1 V | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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