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  semikron  (1.889 Angebote unter 27.677.624 Artikeln)

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Modul: Diodenl; einzelne Diode; 1,2kV; If: 80A; SEMIPACK1; A12; 140A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPACK1 Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsstrom max.: 140A Vorwärtsspannung max.: 1,55V Vorwärtsstrom: 80A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im m...
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SKKE 81/12 07175880
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 179A Kollektorstrom im Im...
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SKM150GAL12T4 22892300
ab € 69,96*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS6 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM50GD125D 21918010
ab € 201,27*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 319A Kollektorstrom ...
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SKM300GB12V 22892073
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Modul: Diodenl; einzelne Diode; 1,6kV; If: 80A; SEMIPACK1; A10; 140A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPACK1 Rückspannung max.: 1,6kV Vorwärtsstrom max.: 140A Vorwärtsspannung max.: 1,55V Vorwärtsstrom: 80A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im m...
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Im...
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 75A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®13 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im ...
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SEMIX71GD12E4S 27890190
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom ...
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SKM300GB126D 22890633
ab € 201,09*
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Modul: Diodenl; einzelne Diode; 800V; If: 80A; SEMIPACK1; A12; 140A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPACK1 Rückspannung max.: 0,8kV Vorwärtsstrom max.: 140A Vorwärtsspannung max.: 1,55V Vorwärtsstrom: 80A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im m...
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Leistung: 11kW Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Koll...
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SKIIP 24NAB126V1 25230070
ab € 144,53*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 88A Kollektorstrom i...
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ab € 58,27*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2N Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom ...
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Modul: IGBT; Diode/Thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Thyristor/IGBT Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 82A Kollektorstrom ...
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SKIIP 28AHB16V1 25230170
ab € 125,16*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 248A Kollektorstrom im Im...
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SKM200GAL17E4 22895110
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 176A Kollektorstrom ...
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SKM150GB12V 22892043
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