Kategorien
Deutschland
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.857 Angebote unter 29.324.563 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „MOSFET“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"MOSFET"

Überbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Infineon IPD068P03L3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A PG-TO252 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PG-TO252 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPD068P03L3GATMA1
ab € 0,64*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 48A; Idm: 160A; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M45170B
ab € 38,82*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD90P04P405ATMA2 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A PG-TO252-3-313 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 90 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-TO252-3-313 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPD90P04P405ATMA2
ab € 1,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 84A Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 715W Polari...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIF120SIC028
ab € 20,45*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 84A Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 715W Polari...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC028
ab € 19,54*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD110N12N3GATMA1 N-Kanal MOSFET Transistor / 75 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 75 A Gehäusegröße = PG-TO252-3
Infineon
IPD110N12N3GATMA1
ab € 0,96*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 550W Polari...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC015
ab € 20,57*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD95R450PFD7ATMA1 N-Kanal MOSFET 950 V / 13,3 A, 3-Pin TO-252 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13,3 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Gehäusegröße = TO-252 Pinanzahl = 3
Infineon
IPD95R450PFD7ATMA1
ab € 1,65*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 3,5A; Idm: 6A; 69W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 3,5A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M1K170B
ab € 3,17*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD122N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 59 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO252-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPD122N10N3GATMA1
ab € 0,57*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 175W Polaris...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC080
ab € 4,34*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPDD60R045CFD7XTMA1, SMD MOSFET / 61 A PG-HDSOP (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 61 A Gehäusegröße = PG-HDSOP Montage-Typ = SMD
Infineon
IPDD60R045CFD7XTMA1
ab € 5,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 47A; Idm: 150A; 357W (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 81mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 357W Polari...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC049
ab € 13,01*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD85P04P407ATMA2 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 85 A PG-TO252-3-313 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 85 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-TO252-3-313 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPD85P04P407ATMA2
ab € 1.653,125*
pro 2.500 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W (1 Angebot) 
Hersteller: Wolfspeed(CREE) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierun...
Wolfspeed
C3M0060065D
ab € 8,57*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   1491   1492   1493   1494   1495   1496   1497   1498   1499   1500   1501   ..   1724   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema MOSFET
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.