Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.860 Angebote unter 29.258.058 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „MOSFET“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"MOSFET"

Überbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO262-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO262-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 0,399Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Pol...
Infineon
IPI50R399CPXKSA1
ab € 0,96*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NTB5D0N NTB5D0N15MC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 139 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 139 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Serie = NTB5D0N Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,005 Ω Channel-Modus = Enhancement G...
onsemi
NTB5D0N15MC
ab € 4,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5,6A; TO220 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO220 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 5,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,85Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipola...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT8N50
ab € 0,55*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 49ns Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W ...
IXYS
IXTA200N055T2
ab € 2,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0,22A; 0,3W; SOT323 (1 Angebot) 
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montage: SMD Gehäuse: SOT323 Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0,22A Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,3W Po...
Micro Commercial Components
BSS138W-TP
ab € 0,64*
pro 20 Stück
 
 Packung
onsemi NTBG022N120M3S N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 58 A D2PAK-7L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 58 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = D2PAK-7L Montage-Typ = SMD
onsemi
NTBG022N120M3S
ab € 12,08*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8,8A; 160W; TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 8,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,34Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 160W Polaris...
ST Microelectronics
STP15NK50Z
ab € 1,26*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NTE4153NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 915 mA 300 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 915 mA Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-523 (SC-89) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 950 mΩ Channel-Modus =...
onsemi
NTE4153NT1G
ab € 152,28*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5,7A; 178W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 860mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 178W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD9N50
ab € 0,50*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 60ns Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 260A Widerstand im Leitungszustand: 3,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480...
IXYS
IXTH260N055T2
ab € 4,28*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NTMFS6H836NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 74 A 89 W, 5-Pin DFN (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 74 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = DFN Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 11,4 mΩ Channel-Modus = Enhancement ...
onsemi
NTMFS6H836NT1G
ab € 792,345*
pro 1.500 Stück
 
 Packung
onsemi NTBG060N065SC1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A D2PAK-7L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 46 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = D2PAK-7L Montage-Typ = SMD
onsemi
NTBG060N065SC1
ab € 6,21*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™ (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS247™ Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25kW Polarisierung: unipo...
IXYS
IXFX80N50Q3
ab € 21,90*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 960W Polarisierung: unipola...
IXYS
IXFH52N50P2
ab € 7,08*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263-7 Bereitschaftszeit: 60ns Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 260A Widerstand im Leitungszustand: 3,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480...
IXYS
IXTA260N055T2-7
ab € 3,44*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   1191   1192   1193   1194   1195   1196   1197   1198   1199   1200   1201   ..   1724   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema MOSFET
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.