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  mosfet 800v  (391 gefilterte Angebote unter 29.256.010 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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MOSFET, N-Kanal, 800V, 27A, TO-264 (4 Angebote) 
MOSFET, Typ=IXFK27N80Q, Abfallzeit=13 ns, Anstiegzeit=28 ns, Ausschaltverzögerung=50 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=800 V, Einscha...
IXYS
IXFK27N80Q
ab € 12,24*
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MOSFET, N-Kanal, 800V, 53A, SOT-227B (3 Angebote) 
MOSFET, Typ=IXFN60N80P, Abfallzeit=26 ns, Anstiegzeit=29 ns, Ausschaltverzögerung=110 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=800 V, Einsch...
IXYS
IXFN60N80P
ab € 3,446*
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MOSFET-Modul, Einfach, N-Kanal, 800V, 37A, 780W, SOT-227B (3 Angebote) 
MOSFET-Modul, Typ=IXFN44N80Q3, Abfallzeit=20 ns, Anstiegzeit=60 ns, Ausschaltverzögerung=63 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=800 V, ...
IXYS
IXFN44N80Q3
ab € 4,81*
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IXYS HiperFET, Polar IXFH24N80P N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = HiperFET, Polar Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Channel-Modus = Enhance...
IXYS
IXFH24N80P
ab € 6,92*
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Infineon IPD80R900P7 Transistor 800 V (3 Angebote)
Infineon
IPD80R900P7ATMA1
ab € 0,47*
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Infineon IPS80R600P7 Transistor 800 V (2 Angebote)
Infineon
IPS80R600P7AKMA1
ab € 0,639*
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STMicroelectronics N-Kanal SuperMESH Power MOSFET, 800 V, 2.5 A, TO-220, STP3NK8 (4 Angebote) 
Leistungs-MOSFET, STP3NK80Z, STMicroelectronics Der STP3NK80Z ist ein 800V N-Kanal Zener-geschützter Power-MOSFET, der unter Verwendung der SuperMESH™ Technologie entwickelt wurde, was durch die Op...
ST Microelectronics
STP3NK80Z
ab € 0,46*
pro Stück
 
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Infineon IPD80R3K3P7 Transistor 800 V (3 Angebote)
Infineon
IPD80R3K3P7ATMA1
ab € 0,25*
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Infineon IPD80R4K5P7 Transistor 500 V (3 Angebote)
Infineon
IPD80R4K5P7ATMA1
ab € 0,24*
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Infineon IPU80R600P7 Transistor 700 V (2 Angebote)
Infineon
IPU80R600P7AKMA1
ab € 0,579*
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onsemi QFET FQPF6N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,5 A 51 W, 3-Pin TO-220F (4 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = QFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-S...
onsemi
FQPF6N80C
ab € 1,23*
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STMicroelectronics MDmesh STP11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-220 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = MDmesh Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
ST Microelectronics
STP11NM80
ab € 1,74*
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP7NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,2 A 125 W, 3-Pin TO-220 (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,2 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = MDmesh, SuperMESH Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,8 Ω Channel-Modus = Enhan...
ST Microelectronics
STP7NK80Z
ab € 1,10*
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 Stück
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP10NK80Z N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-220 (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = MDmesh, SuperMESH Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ Channel-Modus = Enhanc...
ST Microelectronics
STP10NK80Z
ab € 1,48*
pro Stück
 
 Stück
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage (3 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds: 800 V Verlustleistung: 41 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiders...
Infineon
SPA11N80C3XKSA1
ab € 1,27*
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