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  mosfet 60v  (1.117 gefilterte Angebote unter 28.209.685 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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Infineon
IPB019N06L3GATMA1
ab € 1,50*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 152A; 125W; TO220 (1 Angebot) 
Hersteller: NTE Electronics Montage: THT Gehäuse: TO220 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: ...
NTE Electronics
NTE2389
ab € 4,63*
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Infineon
IRL60B216
ab € 2,13*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 20W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 20W Pola...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD444
ab € 0,195*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 38ns Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 440W ...
IXYS
IXFH220N06T3
ab € 3,32*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 (1 Angebot) 
Hersteller: NTE Electronics Montage: THT Gehäuse: TO220 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 60W Polarisierung: ...
NTE Electronics
NTE2984
ab € 2,00*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1,2A; 0,42W; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,22A Widerstand im Leitungszustand: 3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,42W Polarisierung: unipolar...
onsemi
2N7002ET7G
ab € 0,094*
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 Packungen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14,5A; 2W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 14,5A Widerstand im Leitungszustand: 4,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Pola...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4268
ab € 0,31*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polaris...
Infineon
IRFB3206GPBF
ab € 1,79*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 11W; DFN3x3 EP (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN3x3 EP Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 15,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 11...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7264E
ab € 0,219*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0,8A; 340mW (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,15A Widerstand im Leitungszustand: 7,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,34W Polari...
Diodes
DMN67D7L-7
ab € 0,536*
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 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 192W; TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 192W Polarisieru...
Texas Instruments
CSD18533KCS
ab € 0,92*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisierun...
ST Microelectronics
STB60NF06T4
ab € 1,00*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0,8A; 470mW; SOT323 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT323 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,18A Widerstand im Leitungszustand: 7,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,47W Polaris...
Diodes
DMN67D8LW-7
ab € 0,49*
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 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 3,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 113W Polaris...
Diodes
DMT6004SCT
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