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  mosfet 200v  (192 gefilterte Angebote unter 27.603.673 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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VISHAY SUM90100E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 200V, 150A, 175°C, 375W (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095 ohm Produktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom...
Vishay
SUM90100E-GE3
ab € 2,00*
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 Stück
VISHAY SUP90142E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 200V, 90A, TO-220AB (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126 ohm Produktpalette: ThunderFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: ...
Vishay
SUP90142E-GE3
ab € 1,65*
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 Stück
VISHAY SUP90330E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 200V, 35.8A, TO-220AB (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312 ohm Produktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n...
Vishay
SUP90330E-GE3
ab € 0,881*
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Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4 (3 Angebote) 
Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4 Kleinsignal-Transistor Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 200 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Be...
Infineon
BSP149
ab € 0,57*
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Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3 (3 Angebote) 
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3 MOSFET (HEXFET /FETKY) Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen...
Infineon
IRF630N
ab € 0,49*
pro Stück
 
 Paket
Vishay IRF9610 MOSFET 1 P-Kanal 20 W TO-220 (3 Angebote) 
Vishay IRF9610 MOSFET 1 P-Kanal 20 W TO-220 MOSFET (HEXFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 200 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.):...
Vishay
IRF9610
ab € 0,82*
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 Paket
Infineon
IRFB4127PBF
ab € 1,65*
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DIODES INC. ZVNL120GTA MOSFET, N-KANAL, 200V, 0.32A, SOT-223 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer...
Diodes
ZVNL120GTA
ab € 0,319*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17,8A; 156W; TO220AB (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 17,8A Widerstand im Leitungszustand: 82mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 156W Polarisierung: unip...
onsemi
FQP32N20C
ab € 0,87*
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Infineon
IRFH5020TRPBF
ab € 0,949*
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 Stück
INFINEON IRFS4127TRLPBF MOSFET, N-KANAL, 200V, 72A, TO-263AB (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186 ohm Produktpalette: HEXFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-K...
Infineon
IRFS4127TRLPBF
ab € 1,62*
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 Stück
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK) (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...
Infineon
IPB107N20NAATMA1
ab € 5,60*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 714W...
IXYS
IXTK120N20P
ab € 7,78*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W ...
IXYS
IXTA50N20P
ab € 2,44*
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Infineon
BSZ900N20NS3GATMA1
ab € 0,82*
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