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"Leistungsfaktorkorrektur"

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N-Kanal MOSFET FQD19N10TM, 100 V, 15,6 A, 100 MΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15,6 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Geh...
ON Semiconductor
FQD19N10TM
ab € 1,95*
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 Paket
N-Kanal MOSFET FQB44N10TM, 100 V, 43 A, 39 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,75 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 43 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQB44N10TM
ab € 0,75*
pro Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQB9N50CTM, 500 V, 9 A, 800 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 135 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQB9N50CTM
ab € 0,63*
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 Stück
N-Kanal MOSFET FQD1N80TM, 800 V, 1 A, 20 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 20 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuseg...
ON Semiconductor
FQD1N80TM
ab € 2,93*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQB50N06LTM, 60 V, 52 A, 21 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,75 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 21 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQB50N06LTM
ab € 5,44*
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 Paket
N-Kanal MOSFET FQD1N60CTM, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 11,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD1N60CTM
ab € 1,76*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQD2N80TM, 800 V, 1,8 A, 6,3 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 6,3 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQD2N80TM
ab € 2,71*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQB5N50CTM, 500 V, 5 A, 1,4 Ω, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 73 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQB5N50CTM
ab € 3,81*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQD20N06TM, 60 V, 17 A, 63 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 63 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQD20N06TM
ab € 1,61*
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N-Kanal MOSFET FQD7N10LTM, 100 V, 5,8 A, 350 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,8 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 350 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD7N10LTM
ab € 2,40*
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N-Kanal MOSFET FQD12N20LTM, 200 V, 9 A, 280 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD12N20LTM
ab € 2,11*
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N-Kanal MOSFET FQD7N30TM, 300 V, 5,5 A, 700 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Drain-Source-Widerstand max. = 700 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD7N30TM
ab € 2,10*
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N-Kanal MOSFET FQN1N50CTA, 500 V, 380 mA, 6 Ω, TO-92 3-Pin, 2,08 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 380 mA Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 6Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQN1N50CTA
ab € 9,78*
pro 20 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQD13N06TM, 60 V, 10 A, 140 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD13N06TM
ab € 0,34*
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N-Kanal MOSFET FQP13N06L, 60 V, 13,6 A, 110 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 45 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13,6 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FQP13N06L
ab € 2,73*
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