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"Leistungsfaktorkorrektur"

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N-Kanal MOSFET FQP13N10, 100 V, 12,8 A, 180 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 65 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12,8 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Geh...
ON Semiconductor
FQP13N10
ab € 2,73*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQP4N80, 800 V, 3,9 A, 3,6Ω, TO-220AB 3-Pin, 130 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 3,6 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQP4N80
ab € 3,35*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQP65N06, 60 V, 65 A, 16 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 150 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 65 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP65N06
ab € 6,50*
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N-Kanal MOSFET FQP14N30, 300 V, 14,4 A, 290 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 147 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14,4 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Drain-Source-Widerstand max. = 290 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Geh...
ON Semiconductor
FQP14N30
ab € 4,58*
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 Paket
N-Kanal MOSFET FQP50N06L, 60 V, 52 A, 21 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 121 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 21 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP50N06L
ab € 7,14*
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N-Kanal MOSFET FQP6N90C, 900 V, 6 A, 2,3 Ω, TO-220AB 3-Pin, 167 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 900 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,3 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP6N90C
ab € 6,54*
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N-Kanal MOSFET FQP20N06L, 60 V, 21 A, 55 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 53 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP20N06L
ab € 2,34*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQP5N60C, 600 V, 4,5 A, 2,5 Ω, TO-220AB 3-Pin, 100 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQP5N60C
ab € 5,59*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQP7N80C, 800 V, 6,6 A, 1,9 Ω, TO-220AB 3-Pin, 167 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,6 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,9 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQP7N80C
ab € 8,62*
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N-Kanal MOSFET FQP27N25, 250 V, 25 A, 110 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 180 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQP27N25
ab € 5,76*
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N-Kanal MOSFET FQP6N40C, 400 V, 6 A, 1 Ω, TO-220AB 3-Pin, 73 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 400 V Drain-Source-Widerstand max. = 1 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäusegr...
ON Semiconductor
FQP6N40C
ab € 3,44*
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N-Kanal MOSFET FQP8N80C, 800 V, 8 A, 1,55 Ω, TO-220AB 3-Pin, 178 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,55 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQP8N80C
ab € 4,63*
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N-Kanal MOSFET FQP2N90, 900 V, 2,2 A, 7,2 Ω, TO-220AB 3-Pin, 85 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,2 A Drain-Source-Spannung max. = 900 V Drain-Source-Widerstand max. = 7,2 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQP2N90
ab € 0,67*
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N-Kanal MOSFET FQP70N10, 100 V, 57 A, 23 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 160 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 57 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQP70N10
ab € 5,92*
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N-Kanal MOSFET FQPF10N20C, 200 V, 9,5 A, 360 mΩ, TO-220F 3-Pin, 38 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9,5 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 360 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQPF10N20C
ab € 3,15*
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