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"Leistungsfaktorkorrektur"

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N-Kanal MOSFET FQP27N25, 250 V, 25 A, 110 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 180 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQP27N25
ab € 5,73*
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N-Kanal MOSFET FQP2N60C, 600 V, 2 A, 4,7 Ω, TO-220AB 3-Pin, 54 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 4,7 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP2N60C
ab € 2,66*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQP2N90, 900 V, 2,2 A, 7,2 Ω, TO-220AB 3-Pin, 85 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,2 A Drain-Source-Spannung max. = 900 V Drain-Source-Widerstand max. = 7,2 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQP2N90
ab € 3,40*
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N-Kanal MOSFET FQP30N06, 60 V, 30 A, 40 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 79 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP30N06
ab € 4,38*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQP32N20C, 200 V, 28 A, 82 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 156 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 28 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 82 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQP32N20C
ab € 6,12*
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N-Kanal MOSFET FQP33N10, 100 V, 33 A, 52 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 127 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQP33N10
ab € 4,35*
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N-Kanal MOSFET FQP34N20, 200 V, 31 A, 75 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 18 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQP34N20
ab € 4,39*
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N-Kanal MOSFET FQP3N80C, 800 V, 3 A, 4,8 Ω, TO-220AB 3-Pin, 107 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 4,8 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP3N80C
ab € 3,02*
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N-Kanal MOSFET FQP44N10, 100 V, 43 A, 39 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 146 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 43 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQP44N10
ab € 6,33*
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N-Kanal MOSFET FQP46N15, 150 V, 45 A, 42 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 210 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQP46N15
ab € 8,63*
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N-Kanal MOSFET FQP4N80, 800 V, 3,9 A, 3,6Ω, TO-220AB 3-Pin, 130 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 3,6 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQP4N80
ab € 3,41*
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N-Kanal MOSFET FQP4N90C, 900 V, 4 A, 4,2 Ω, TO-220 3-Pin, 140 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 900 V Drain-Source-Widerstand max. = 4,2 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP4N90C
ab € 4,17*
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N-Kanal MOSFET FQP50N06, 60 V, 50 A, 22 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 120 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spa...
ON Semiconductor
FQP50N06
ab € 3,73*
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N-Kanal MOSFET FQP50N06L, 60 V, 52 A, 21 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 121 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 21 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP50N06L
ab € 7,19*
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N-Kanal MOSFET FQP55N10, 100 V, 55 A, 26 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 155 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQP55N10
ab € 8,96*
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