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"Leistungsfaktorkorrektur"

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N-Kanal MOSFET FDB44N25TM, 250 V, 44 A, 69 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 307 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 44 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 69 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD...
ON Semiconductor
FDB44N25TM
ab € 2,26*
pro 2 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDP51N25, 250 V, 51 A, 60 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 320 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 51 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDP51N25
ab € 11,40*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDA50N50, 500 V, 48 A, 105 mΩ, TO-3P 3-Pin, 625 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 48 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 105 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDA50N50
ab € 5,54*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDD18N20LZ, 200 V, 16 A, 130 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 89 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD18N20LZ
ab € 8,21*
pro 10 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDP8N50NZ, 500 V, 8 A, 850 mΩ, TO-220 3-Pin, 139 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 850 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDP8N50NZ
ab € 4,07*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDB12N50TM, 500 V, 11,5 A, 650 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 165 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 650 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Geh...
ON Semiconductor
FDB12N50TM
ab € 5,45*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD4N60NZ, 600 V, 3,4 A, 2,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 114 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD4N60NZ
ab € 4,08*
pro 10 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDPF16N50, 500 V, 16 A, 380 mΩ, TO-220F 3-Pin, 38,5 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDPF16N50
ab € 0,87*
pro Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDB33N25TM, 250 V, 33 A, 94 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 235 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 94 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDB33N25TM
ab € 1,76*
pro 2 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD7N20TM, 200 V, 5 A, 690 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 43 W, Serie UniFET Si (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 690 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD7N20TM
ab € 0,206*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDPF18N50, 500 V, 18 A, 265 mΩ, TO-220F 3-Pin, 38,5 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 265 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDPF18N50
ab € 2,20*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDD5N50NZTM, 500 V, 4 A, 1,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 62 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD5N50NZTM
ab € 5,15*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDL100N50F, 500 V, 100 A, 55 mΩ, TO-264 3-Pin, 2,5 kW, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDL100N50F
ab € 14,15*
pro Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDPF3N50NZ, 500 V, 1,8 A, 2,5 Ω, TO-220F 3-Pin, 27 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,8 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDPF3N50NZ
ab € 4,67*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDP10N60NZ, 600 V, 10 A, 750 mΩ, TO-220 3-Pin, 185 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDP10N60NZ
ab € 3,62*
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