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"Leistungsfaktorkorrektur"

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N-Kanal MOSFET FQB30N06LTM, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,75 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 32 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 35 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQB30N06LTM
ab € 3,87*
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 Paket
N-Kanal MOSFET FQB33N10LTM, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,75 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQB33N10LTM
ab € 3,75*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQB33N10TM, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,75 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQB33N10TM
ab € 4,47*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQB34N20LTM, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,13 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQB34N20LTM
ab € 4,89*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQB44N10TM, 100 V, 43 A, 39 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,75 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 43 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQB44N10TM
ab € 0,74*
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 Stück
N-Kanal MOSFET FQB4N80TM, 800 V, 3,9 A, 3,6Ω, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,13 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 3,6 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQB4N80TM
ab € 1,38*
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N-Kanal MOSFET FQB50N06LTM, 60 V, 52 A, 21 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,75 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 21 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQB50N06LTM
ab € 5,44*
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 Paket
N-Kanal MOSFET FQB50N06TM, 60 V, 50 A, 22 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,75 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQB50N06TM
ab € 0,79*
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 Stück
N-Kanal MOSFET FQB55N10TM, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,75 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQB55N10TM
ab € 5,18*
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N-Kanal MOSFET FQB5N50CTM, 500 V, 5 A, 1,4 Ω, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 73 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQB5N50CTM
ab € 3,82*
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N-Kanal MOSFET FQB6N80TM, 800 V, 5,8 A, 1,95 Ω, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,13 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,95 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQB6N80TM
ab € 4,72*
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N-Kanal MOSFET FQB8N60CTM, 600 V, 7,5 A, 1,2 Ω, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 3,13 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,5 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,2Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQB8N60CTM
ab € 1,21*
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 Stück
N-Kanal MOSFET FQB9N50CTM, 500 V, 9 A, 800 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 135 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQB9N50CTM
ab € 0,62*
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 Stück
N-Kanal MOSFET FQD12N20LTM, 200 V, 9 A, 280 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD12N20LTM
ab € 2,12*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQD12N20TM, 200 V, 9 A, 280 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD12N20TM
ab € 6,36*
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