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5er Pack Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160W TO-220AB (1 Angebot) 
5er Pack Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160W TO-220AB Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er ei...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK (4 Angebote) 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Polaris...
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 320W Polari...
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 380W Polari...
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PQFN2X2 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 8,5A Widerstand im Leitungszustand: 15,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,1W Pola...
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 156A Widerstand im Leitungszustand: 1,95mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 195W Polari...
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 140W Polaris...
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