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Infineon HEXFET IRF540NSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (4 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 44 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-...
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Infineon IRF5210 Transistor 30 V (7 Angebote)
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Infineon IRF5305 Transistor 55 V (8 Angebote)
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Infineon IRF7241 Transistor 55 V (4 Angebote)
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Infineon IRF540Z Transistor 30 V (6 Angebote)
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Infineon HEXFET IRF5305PBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-S...
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Infineon HEXFET IRF530NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 17 A 70 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-...
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Infineon IRF7309 Transistor 100 V (5 Angebote)
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Infineon HEXFET IRF640NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
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Infineon IRF530N Transistor 40 V (8 Angebote)
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Infineon HEXFET IRF540NLPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin I2PAK (TO-262) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 44 mΩ Channel-Modus = Enhancement Verlu...
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Infineon HEXFET IRF7342TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 55 V / 3,4 A 2 W, 8-Pin SOIC (4 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 170 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
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Infineon HEXFET IRF7104TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 2 W, 8-Pin SOIC (4 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
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Infineon IRF540NS Transistor 40 V (1 Angebot)
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