fet, junction-  (13 Angebote unter 29.255.482 Artikeln)

MOSFET, IXFP22N65X2M, LITTELFUSE Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis. Features...

MOSFET, IXFP22N65X2, LITTELFUSE Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis. Features ...

MOSFET, IXFH80N65X2, LITTELFUSE Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis. Features ...

MOSFET, IXFH80N25X3, LITTELFUSE Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis. Features ...

Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4 V Kanaltyp: n-Kanal Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: SO...

Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5 V Kanaltyp: n-Kanal Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: ...

The genesis of the NATO Advanced Study Institute (ASI) upon which this volume is based, occurred during the summer of 1986 when we came to the realization that there had been significant progress d...

Prof. Dr.-Ing. Alexander Klös lehrt an der Technischen Hochschule Mittelhessen im Fachbereich Elektro- und Informationstechnik und ist Mitglied im Kompetenzzentrum Nanotechnik und Photonik.

As part of the effort to increase the contribution of solar cells (photovoltaics) to our energy mix, this book addresses three main areas: making existing technology cheaper, promoting advanced tec...

Bei dem n-Kanal-JFET (junction FET) wird der Strom durch der Source Drain Strecke durch die Spannung am Gate gesteuert. Beim n-Kanal-JFET ist dies eine negative Spannung. Wird die Spannung positiv ...

Physikalische Größen.- 1 Dioden.- 1.1 Kennlinie und Impedanz.- 1.2 Schaltverhalten.- 1.3 Rauschen.- 1.4 Ausführungsformen von Gleichrichterdioden.- 1.5 pin-Diode.- 1.6 p+sn+-Leistungsgleichrichter....

Junction FETs Reihe BF. Spannung (VDS): ±30 V, Leistung: 300 mW, Gehäuse: TO92. Technische Merkmale (Typ, Strom (ID), Hersteller): BF256B, 6,0 bis 13 mA, Fairchild Semiconductors

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TDFN4 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω Gate-Schwellenspannung ma...