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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.659 Artikel)

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Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drainstrom: 20mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,25W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...
onsemi
BSR57
ab € 0,106*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannung: -40V
onsemi
MMBF4117
ab € 0,138*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 25V Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Sou...
onsemi
MMBFU310LT1G
ab € 0,138*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (4 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 25V Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Sou...
onsemi
MMBFJ310LT1G
ab € 0,102*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0,225W; SOT23; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Ba...
onsemi
MMBFJ309LT1G
ab € 0,36*
pro 5 Stück
 
 Packung
Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 0,225W; SOT23; 50mA (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drain-Source Spannung: 30V Widerstand im Leitungszustand: 30Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar V...
onsemi
MMBF4391LT1G
ab € 0,0915*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0,225W; SOT23; Igt: 50mA (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 25mA Widerstand im Leitungszustand: 60Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisi...
onsemi
MMBF4392LT1G
ab € 0,096*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 325mW; SOT23; 50mA (5 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 325mW Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannung: -40V
onsemi
MMBFJ202
ab € 0,072*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (3 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannu...
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
ab € 0,132*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,1W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
ab € 0,112*
pro Stück
 
 Packung
Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drainstrom: 80mA Widerstand im Leitungszustand: 60Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,25W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
onsemi
BSR58
ab € 0,0643*
pro Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Pol...
Vishay
SIRC16DP-T1-GE3
ab € 0,73*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 17,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 17,7W...
Vishay
SIS780DN-T1-GE3
ab € 0,31*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 29,6W Po...
Vishay
SISC06DN-T1-GE3
ab € 0,334*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
ab € 0,71*
pro Stück
 
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