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  N-Kanal-Transistoren SMD (769 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Pol...
Vishay
SIRC16DP-T1-GE3
ab € 0,73*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 17,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 17,7W...
Vishay
SIS780DN-T1-GE3
ab € 0,31*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 29,6W Po...
Vishay
SISC06DN-T1-GE3
ab € 0,334*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
ab € 0,71*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 142,6A Widerstand im Leitungszustand: 2,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
ab € 0,55*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 145,4A Widerstand im Leitungszustand: 2,01mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
ab € 0,535*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 27,5W Pol...
Vishay
SIRC10DP-T1-GE3
ab € 0,331*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Po...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
ab € 0,69*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 32W Polaris...
Vishay
SIRC06DP-T1-GE3
ab € 0,334*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19,5A; 33W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 19,5A Widerstand im Leitungszustand: 54,1/51,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Ver...
Vishay
SIZ270DT-T1-GE3
ab € 0,537*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16/35A Widerstand im Leitungszustand: 9/4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 27/48W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ710DT-T1-GE3
ab € 2.427,42*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 63mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIA906EDJ-T1-GE3
ab € 0,191*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 20A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSSOP8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipol...
Vishay
SI6926ADQ-T1-GE3
ab € 0,46*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SC89;SOT563 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 515mA Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,28W Polarisieru...
Vishay
SI1024X-T1-GE3
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30/40A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 12,7/6,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipola...
Vishay
SIZ320DT-T1-GE3
ab € 1.337,70*
pro 3.000 Stück
 
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