N-Kanal-Transistoren SMD bei Mercateo günstig kaufen

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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 18,2A (1 Angebot)

Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 18,2A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 115W Pol...

Qorvo (UnitedSiC)

UJ3C065080B3

ab € 10,35*
pro Stück

Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 47A (1 Angebot)

Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polar...

Qorvo (UnitedSiC)

UJ3C065030B3

ab € 33,49*
pro Stück

Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12,5A; Idm: 23A (2 Angebote)

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: INFINEON TEC...

Infineon

IGT60R190D1SATMA1

ab € 8,00*
pro Stück

Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-DSO-20 Gatestrom: 20mA Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-JFET Verlustleist...

Infineon

IGOT60R070D1AUMA1

ab € 18,01*
pro Stück

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W (2 Angebote)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: PowerFLAT 5x6 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 192W Polar...

ST Microelectronics

SGT120R65AL

ab € 2,56*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SOT23; 50mA (4 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannung: -40V

onsemi

MMBF5103

ab € 0,092*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SOT23; 50mA (3 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Widerstand im Leitungszustand: 50Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle G...

onsemi

MMBFJ112

ab € 0,085*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SOT23; 50mA (3 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Widerstand im Leitungszustand: 100Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle ...

onsemi

MMBFJ113

ab € 0,0914*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SOT23; 50mA (4 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannung: -40V

onsemi

MMBFJ201

ab € 0,102*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SuperSOT-3; 10mA (2 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-3 Gatestrom: 10mA Widerstand im Leitungszustand: 8Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rol...

onsemi

MMBFJ108

ab € 0,197*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 0,46W; SOT23; 10mA (2 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Widerstand im Leitungszustand: 18Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,46W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle G...

onsemi

MMBFJ110

ab € 0,113*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 1,4mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Angebot)

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 1,4mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,1W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...

Toshiba

2SK208-O(TE85L,F)

ab € 0,167*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (1 Angebot)

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 14mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...

Toshiba

2SK209-BL(TE85L,F)

ab € 0,20*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 15V Drainstrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band...

onsemi

2SK932-23-TB-E

ab € 0,143*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 Angebote)

onsemi

2SK932-24-TB-E

ab € 0,17*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (1 Angebot)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drainstrom: 20mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,25W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...

onsemi

BSR57

ab € 0,106*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA (1 Angebot)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannung: -40V

onsemi

MMBF4117

ab € 0,138*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (2 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 25V Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Sou...

onsemi

MMBFU310LT1G

ab € 0,138*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (4 Angebote)

onsemi

MMBFJ310LT1G

ab € 0,102*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0,225W; SOT23; Igt: 10mA (2 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Ba...

onsemi

MMBFJ309LT1G

ab € 0,36*
pro 5 Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 0,225W; SOT23; 50mA (3 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drain-Source Spannung: 30V Widerstand im Leitungszustand: 30Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar V...

onsemi

MMBF4391LT1G

ab € 0,0915*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0,225W; SOT23; Igt: 50mA (2 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 25mA Widerstand im Leitungszustand: 60Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisi...

onsemi

MMBF4392LT1G

ab € 0,096*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 325mW; SOT23; 50mA (5 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 325mW Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannung: -40V

onsemi

MMBFJ202

ab € 0,072*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (3 Angebote)

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannu...

Toshiba

2SK209-GR(TE85L,F)

ab € 0,132*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 6,5mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (2 Angebote)

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 6,5mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,1W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...

Toshiba

2SK208-GR(TE85L,F)

ab € 0,112*
pro Stück

Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (3 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drainstrom: 80mA Widerstand im Leitungszustand: 60Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,25W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

onsemi

BSR58

ab € 0,0643*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Pol...

Vishay

SIRC16DP-T1-GE3

ab € 0,73*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 17,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 17,7W...

Vishay

SIS780DN-T1-GE3

ab € 0,31*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 29,6W Po...

Vishay

SISC06DN-T1-GE3

ab € 0,334*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...

Vishay

SISS64DN-T1-GE3

ab € 0,71*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 142,6A Widerstand im Leitungszustand: 2,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...

Vishay

SISS66DN-T1-GE3

ab € 0,55*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 145,4A Widerstand im Leitungszustand: 2,01mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...

Vishay

SISS60DN-T1-GE3

ab € 0,535*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 27,5W Pol...

Vishay

SIRC10DP-T1-GE3

ab € 0,331*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Po...

Vishay

SIRC18DP-T1-GE3

ab € 0,69*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 32W Polaris...

Vishay

SIRC06DP-T1-GE3

ab € 0,334*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1,5A; Idm: 3A (1 Angebot)

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 1,2...

ROHM Semiconductor

QS5U34TR

ab € 0,119*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W (2 Angebote)

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 154mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 1,25W...

ROHM Semiconductor

QS5U17TR

ab € 0,135*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW (1 Angebot)

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 0,9W P...

ROHM Semiconductor

QS5U13TR

ab € 0,102*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW (1 Angebot)

ROHM Semiconductor

QS5U12TR

ab € 0,137*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A (2 Angebote)

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 0,5A Widerstand im Leitungszustand: 154mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 1,2...

ROHM Semiconductor

QS5U16TR

ab € 0,125*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19,5A; 33W (3 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 19,5A Widerstand im Leitungszustand: 54,1/51,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 33W Polarisierung: unipolar Ver...

Vishay

SIZ270DT-T1-GE3

ab € 0,537*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16/35A; 27/48W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16/35A Widerstand im Leitungszustand: 9/4,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 27/48W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ710DT-T1-GE3

ab € 2.439,75*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 15A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 63mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 7,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...

Vishay

SIA906EDJ-T1-GE3

ab € 0,191*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 20A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSSOP8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipol...

Vishay

SI6926ADQ-T1-GE3

ab € 0,46*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 515mA; 280mW (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SC89;SOT563 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 515mA Widerstand im Leitungszustand: 1,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,28W Polarisieru...

Vishay

SI1024X-T1-GE3

ab € 0,22*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30/40A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30/40A Widerstand im Leitungszustand: 12,7/6,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipola...

Vishay

SIZ320DT-T1-GE3

ab € 1.334,67*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

Vishay

SIZ322DT-T1-GE3

ab € 0,349*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40/60A (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 40/60A Widerstand im Leitungszustand: 7,9/3,35mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20,2/40W Polarisierung: unipolar...

Vishay

SIZ926DT-T1-GE3

ab € 0,482*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/30W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/30W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ704DT-T1-GE3

ab € 2.167,50*
pro 3.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/33W (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/33W Polarisierung: unipolar Verp...

Vishay

SIZ904DT-T1-GE3

ab € 6,72*
pro 10 Stück

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