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  IGBT-Module (1.136 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Leistung: 4kW Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kolle...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 25NEB066V1 25232400
€ 166,25*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 43A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 43A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 13NEB066V1 25231430
€ 94,49*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 48A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 48A Kollektorstrom im Impuls: 100A...
Powersem
PSSI 75/06
€ 22,38*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Leistung: 5,5kW Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kol...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 26NAB066V1 25230630
€ 197,64*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 63A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 63A Kollektorstrom im Impuls: 150A...
Powersem
PSSI 100/06
€ 32,65*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 6A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 1 Leistung: 1,5kW Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Koll...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 11NAB066V1 25230580
€ 102,15*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 75A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Leistung: 7,5kW Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kol...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 37NAB066V1 25230640
€ 307,62*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 75A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GAL063D
€ 50,21*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 83A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 83A Kollektorstrom im Impuls: 200A...
Powersem
PSSI 130/06
€ 33,89*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Im...
Microchip Technology
APT100GLQ65JU2
€ 47,01*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.5 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65L2S
€ 32,82*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S
€ 39,91*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65L2S
€ 36,39*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65F1S
€ 43,69*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 200A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKM195GAL07E3 22895620
€ 101,19*
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