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  IGBT-Module (1.135 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 200A Elek...
IXYS
MDNA280UB2200PTED
€ 237,33*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impuls: 200A Elek...
IXYS
MDNA210UB2200PTED
€ 208,76*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL17E4 22895100
€ 76,64*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 29A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 29A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB176V1 25231910
€ 330,88*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 58A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 58A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 34NAB176V3 25231900
€ 460,88*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anwen...
IXYS
MCNA120UI2200TED
€ 182,16*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 150A Elekt...
IXYS
MCNA120UI2200PED
€ 198,84*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Trench (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack PFP Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 310A Elektrische Montage: Press-Fit Mechanische Montage: schraubba...
IXYS
MITA300RF1700PTED
€ 205,29*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,8kV; Ic: 98A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,8kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 28ANB18V3 25238230
€ 196,81*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S
€ 40,30*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S
€ 36,55*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F4.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S
€ 42,91*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F4.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F4S
€ 47,33*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F1S
€ 45,22*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S
€ 42,49*
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