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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 80A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-MCNA120UI2200TED
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MCNA120UI2200TED
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Schalttransistor
Transistor
schalttransistor
Hersteller: IXYS
Gehäuse: E2-Pack
Rückspannung max.: 1,7kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 80A
Kollektorstrom im Impuls: 150A
Anwendung: Wechselrichter
Verlustleistung: 190W
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: NTC Thermistor;boost chopper;3-phasige Dioden-Thyristor-Brücke
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