IGBT-Module (1.136 Artikel)

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 1 Leistung: 4kW Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollek...

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y4-M5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 90A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anwendu...

Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 94A Kollektorstrom im Impuls: 150A...

Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 117A Kollektorstrom im Impuls: 200...

Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack PFP Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 250A Elektrische Montage: Press-Fit Mechanische Montage: schraubba...

Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 190A Elektrische Montage: Press-in PCB Mechanische Montage: schraubbar...

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 460A Kollektorstrom im Impuls: 800A Anwen...

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Impuls: 200A Anwen...

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 220A Kollektorstrom im Impuls: 400A Anwen...

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 180A Kollektorstrom im Impuls: 360A Anwen...

Hersteller: IXYS Gehäuse: Y4-M5 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 200A Anwend...

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 6p Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Anwendung: für UPS;Wechselrichter;Photovoltaik Elek...

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPONT6 Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Imp...

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPONT6 Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Imp...

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPONT6 Rückspannung max.: 1,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Imp...