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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-MID150-12A4
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MID150-12A4
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: Y3-DCB
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 120A
Kollektorstrom im Impuls: 200A
Anwendung: Motoren
Verlustleistung: 760W
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: NPT
Topologie: boost chopper
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