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  IGBT-Module (54 Artikel)

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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-34MM-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorst...
Infineon
BSM200GB60DLC
€ 120,86*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONOD-3 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektor...
Infineon
FF450R06ME3
€ 278,33*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; 270W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO2B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorst...
Infineon
FS50R12KE3BPSA1
€ 106,27*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; AG-62MM (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom...
Infineon
FZ400R12KS4HOSA1
€ 140,07*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
€ 171,92*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 900A; 4,3kW (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MMES Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 900A Kollektorstr...
Infineon
FZ900R12KE4HOSA1
€ 148,31*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 400A; 2,5kW (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MMES Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstr...
Infineon
FZ400R17KE4HOSA1
€ 225,89*
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Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: PCB Betriebstemperatur: -25...85°C Gehäuse: AG-EICE Versorgungsspannung: 14...16V DC Frequenz: 60kHz Ausgangsstrom: 30A Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Anwen...
Infineon
2ED300C17SROHSBPSA1
€ 135,52*
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 Stück
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: PCB Betriebstemperatur: -40...85°C Gehäuse: AG-EICE Versorgungsspannung: 14...16V DC Frequenz: 60kHz Ausgangsstrom: 30A Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Anwen...
Infineon
2ED300C17STROHSBPSA1
€ 184,26*
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