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  st microelectronics  (16.357 Angebote unter 30.809.701 Artikeln)

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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 93mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisie...
ST Microelectronics
STP43N60DM2
€ 7,37*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 57,7W (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: PowerFLAT 5x6 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 57,7W ...
ST Microelectronics
STL38DN6F7AG
€ 1,52*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 57A; Idm: 228A; 62,5W (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: PowerFLAT 5x6 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 57A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 62,5W ...
ST Microelectronics
STL50DN6F7
€ 1,72*
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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7,6A; 90W; TO247 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisier...
ST Microelectronics
STW18N60DM2
€ 3,44*
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Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40W Polarisie...
ST Microelectronics
STF34NM60ND
€ 6,92*
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Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220AB Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Impuls: 120A Transistor-Ty...
ST Microelectronics
STGP30M65DF2
€ 3,45*
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Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 10A; 140W; TO247 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 140W Polarisier...
ST Microelectronics
STW21NM60ND
€ 4,95*
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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 93mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisieru...
ST Microelectronics
STWA35N65DM2
€ 7,81*
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Transistor: IGBT; 650V; 30A; 50W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Impuls: 90A Transistor-Typ...
ST Microelectronics
STGF30H65DFB2
€ 2,82*
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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlu...
ST Microelectronics
STWA65N65DM2AG
€ 13,83*
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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisieru...
ST Microelectronics
STW45N60DM2AG
€ 9,64*
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Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 160A Transistor-Ty...
ST Microelectronics
STGWA40H65DFB
€ 4,48*
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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 390W Polarisieru...
ST Microelectronics
STWA70N60DM6
€ 18,21*
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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6,3A; Idm: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,42Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polaris...
ST Microelectronics
STP11N60DM2
€ 2,21*
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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; TO247 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Widerstand im Leitungszustand: 93mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Polarisierung: unipol...
ST Microelectronics
STWA45N60DM2AG
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