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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 38A; Idm: 240A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-STWA65N65DM2AG
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STWA65N65DM2AG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 38A
Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 446W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 0,12µC
Technologie: MDmesh™ DM2
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 240A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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