MOSFET  (15.036 Angebote unter 27.585.903 Artikeln)Zum Expertenwissen

Rds(on)-Prüfspannung: 5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Daue...

MSL: - Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors Transistormontage: Surface Mount Verlustleistung: 200 mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 V Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Betri...

MOSFET, Typ=STF3NK80Z, Abfallzeit=40 ns, Anstiegzeit=27 ns, Ausschaltverzögerung=36 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=800 V, Einschal...

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ71, 50 V, 14 A, 0,1 Ohm, TO220, COMSET

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9,9 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = En...

I/O-Kapazität: 3 pF Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1 µA Produktpalette: OptoMOS Relaisanschlüsse: PC-Pin Durchlasswiderstand, max.: 35 ohm Lasttyp: AC/DC Laststrom: 120 mA Relaismontag...

Dauer-Drainstrom Id: 200 mA Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 V Drain-Source-Spannung Vds: 50 V Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifikation: - Kanaltyp: N Channel D...

Infineon PVAZ172N

Kleinsignal-MOSFET NFET en N-Kanal-Anreicherungstyp Reihe BSP../BSS. Technische Merkmale (Typ, Spannung (UDS), Strom (ID), Gehäuse, Hersteller): BSS123, 100 V, 170 mA, SOT23, Diodes

Hersteller Serie = Lococube Mini-SPS Anzahl der Eingänge = 10 Ausgangstyp = Mosfet, Halbleiterrelais Zur Verwendung mit = STG-600 Versorgungsspannung = 7 → 32 V dc Eingangstyp = Analog, digital Spa...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 3...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Transistormontage: Surface Mount Verlustleistung: 300 mW SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) MSL: MSL 1 - Unlimited Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5 ohm Bauform - Transisto...

MOSFET-Relais, Typ=G3VM-101BR1, Breite=6.4 mm, Frequenz, max.=-999, Frequenz, min.=-999, Höhe=3.65 mm, Lastspannung max.=100 V, Laststrom max.=7 A, Laststrom min.=3.5 A, Länge=7.12 mm, Anschlussart...

MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m Ohm, 4,7 A, 75 W, TO220, C...

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 10,2 mΩ Channel-Modus = En...