MOSFET  (15.036 Angebote unter 27.629.770 Artikeln)Zum Expertenwissen

I/O-Kapazität: 3 pF Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1 µA Produktpalette: OptoMOS Relaisanschlüsse: PC-Pin Durchlasswiderstand, max.: 20 ohm Lasttyp: AC/DC Laststrom: 170 mA Relaismontag...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Daue...

MOSFET-Relais, Typ=G3VM-31BR, Breite=6.4 mm, Frequenz, max.=-999, Frequenz, min.=-999, Höhe=3.65 mm, Lastspannung max.=30 V, Laststrom max.=10 A, Laststrom min.=5 A, Länge=7.12 mm, Anschlussart=Pri...

MOSFET, ZXMN3F30FHTA, Diodes Dieser MOSFET der neuen Generation zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, der mit einer Gate-Ansteuerung von 4,5 V erreicht wird. Features * Niedr...

Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 9,3 A; 9,6 A Drain-Source-Spannung max. = 35 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ Channel-M...

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Da...

Betriebstemperatur, max.: 150 °C Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 ohm Dauer-Drainstrom Id: 500 mA Verlustleistung: 830 mW SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Rds(on)-Prüfspannung: 1...

MOSFET-Relais, Typ=G3VM-61BR2, Breite=6.4 mm, Frequenz, max.=-999, Frequenz, min.=-999, Höhe=3.65 mm, Lastspannung max.=60 V, Laststrom max.=8 A, Laststrom min.=4 A, Länge=7.12 mm, Anschlussart=Pri...

MOSFET, BSS123W-7-F, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiz...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id...

Rds(on)-Prüfspannung: 2.75 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom I...

MOSFET-Relais, Typ=G3VM-61ER2, Breite=6.4 mm, Frequenz, max.=-999, Frequenz, min.=-999, Höhe=3.65 mm, Lastspannung max.=60 V, Laststrom max.=8 A, Laststrom min.=4 A, Länge=7.12 mm, Anschlussart=Gul...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ Channel-Modus = Enhancement G...