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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIHG47N60EF-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHG47N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
igbt
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO247AC
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 29A
Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 379W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 228nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 138A
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