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Modul: IGBT; Diode/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-MKI100-12F8
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MKI100-12F8
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: E3-Pack
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 125A
Kollektorstrom im Impuls: 200A
Verlustleistung: 640W
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: NPT;HiPerFRED™
Topologie: Brücke H
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