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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 12A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-MIXA10WB1200TED
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MIXA10WB1200TED
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: E2-Pack
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 12A
Kollektorstrom im Impuls: 30A
Anwendung: Motoren;Photovoltaik
Verlustleistung: 60W
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: Sonic FRD™;XPT™
Topologie: 3-Phasendiodenbrücke;buck chopper;NTC Thermistor;3-phasen Brücke IGBT
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