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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-MG35P12P3-YAN
Hersteller:
     YANGJIE TECHNOLOGY
Herst.-Nr.:
     MG35P12P3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Gehäuse: P3
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 35A
Kollektorstrom im Impuls: 70A
Anwendung: Motoren;Wechselrichter
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: 3-Phasendiodenbrücke;IGBT Halbbrücke x3;NTC Thermistor;boost chopper
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