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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-IXBN75N170
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBN75N170
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 1,7kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 75A
Kollektorstrom im Impuls: 680A
Verlustleistung: 625W
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Technologie: BiMOSFET™
Die Konditionen im Überblick1
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