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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-GD200HFU120C2S
Hersteller:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     GD200HFU120C2S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Gehäuse: C2 62mm
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 200A
Kollektorstrom im Impuls: 400A
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Topologie: IGBT Halbbrücke
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.