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Modul: IGBT; einzelner Transistor; einzelner Transistor; Ic: 100A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-GD100SGY120D6S
Hersteller:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     GD100SGY120D6S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Gehäuse: D6
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 100A
Kollektorstrom im Impuls: 200A
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: Advanced Trench FS IGBT
Topologie: einzelner Transistor
Die Konditionen im Überblick1
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