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Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter; IGBT x2


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-FF200R12KT3E
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF200R12KT3EHOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Gehäuse: AG-62MM-1
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 200A
Kollektorstrom im Impuls: 400A
Verlustleistung: 1,05kW
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Topologie: IGBT x2
Weitere Suchbegriffe: igbt module
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